- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
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- 放電等離子燒結(jié)爐
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- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
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- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
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- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
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- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設(shè)備
- UV光固機
- 注射泵
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- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。
鍍膜儀配有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。
三靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
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三靶磁控濺射鍍膜儀(直流電源+射頻電源) |
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產(chǎn)品型號 |
CY-MSH325-III-DCDCRF-SS |
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樣品臺
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尺寸 |
φ140mm |
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控溫精度 |
±1℃ |
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加熱溫度 |
*高500℃ |
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轉(zhuǎn)速 |
1-20rpm可調(diào) |
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磁控濺射頭
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數(shù)量 |
2” x3 （1”,2”可選） |
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水冷機規(guī)格 |
10L/min流速的循環(huán)水冷機 |
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冷卻方式 |
水冷 |
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真空腔體
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腔體尺寸 |
Dia.300mm×300mm |
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觀察窗口 |
φ100mm |
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開啟方式 |
上頂開式 |
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腔體材料 |
不銹鋼 |
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質(zhì)量流量計 |
2路；量程100sccm；100sccm（可根據(jù)客戶需要定制多路氣路） |
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真空系統(tǒng)
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產(chǎn)品型號 |
CY-GZK103-A |
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抽氣接口 |
CF160 |
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分子泵 |
CY-600 |
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排氣接口 |
KF40 |
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前極泵 |
旋片泵 |
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真空測量 |
復(fù)合真空計 |
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極限真空 |
1.0E-5Pa |
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供電電源 |
AC;220V 50/60Hz |
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抽氣速率 |
分子泵：600L/S 旋片泵：1.1L/S 綜合抽氣性能：20分鐘真空度可達： 1.0E-3Pa |
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電源配置 |
數(shù)量 |
直流電源x2 射頻電源 x1 |
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*大輸出功率 |
直流電源500W 射頻電源500W |
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其他
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供電電壓 |
AC220V,50Hz |
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整機尺寸 |
600mm X 650mm X 1280mm |
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整機重量 |
300kg |
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整機功率 |
4KW |
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極限真空度 |
1.0E-5Pa |
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