該PLD脈沖激光濺射沉積設(shè)備系列設(shè)備主要用于生長光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機化合物薄膜材料，尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料。

詳情介紹：

該PLD脈沖激光濺射沉積設(shè)備系列設(shè)備主要用于生長光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機化合物薄膜材料，尤其適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料。

脈沖激光沉積聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)由脈沖激光沉積生長腔、進(jìn)樣腔與磁控濺射預(yù)處理腔組成，三個腔體配備獨立的真空系統(tǒng)，腔體之間通過傳樣桿連接。

技術(shù)參數(shù):

項目	型號	CY-2PLDM
進(jìn)樣室	材質(zhì)	不銹鋼
	漏率	≤1×10-7Pa.L/s，
	極限真空	≤1×10-5 Pa
	結(jié)構(gòu)	真空腔室上開有連接樣品傳輸桿、真空泵、快開門、真空計、放氣閥等對應(yīng)的法蘭接口 獨立的真空獲得和真空檢測組件，包括所需閥門
	尺寸	進(jìn)樣室可容納≥3個2英寸樣品
	加熱	配備加熱臺，可對樣品進(jìn)行加熱烘烤除氣，配備加熱源和溫控電源，*高溫度≥300℃；
	清洗功能	樣品可進(jìn)行直流放電等離子清洗，并配備高壓電源與電機驅(qū)動系統(tǒng)
	等離子清洗氣體	樣品等離子清洗的工作氣體為氫氣或氧氣，配備工作氣路
	磁力傳樣桿	數(shù)量2 位置：分別連接脈沖激光沉積成膜室與磁控濺射預(yù)處理室
脈沖激光沉積成膜室	真空腔材質(zhì)	不銹鋼
	漏率	≤5×10-8 Pa.L/s
	極限真空	≤1×10-7 Pa
	激光入射石英窗口	數(shù)量*2 光路高度1200mm
	觀察窗	數(shù)量*3 配備觀察窗遮擋板
	紅外測溫窗口	預(yù)留紅外測溫窗口，呈45°夾角傾斜指向樣品臺
	真空系統(tǒng)	分子泵+機械泵 分子泵抽速：1200L/s 前級泵抽速：8L/s 配置分子泵旁抽機構(gòu)
	真空測量	全量程復(fù)合真空計
	氣路	配備2路高精度氣路，分別用于氧氣和氫氣，配備控制針閥和氣體質(zhì)量流量計，氣體流量分別是100sccm和5sccm 氣體可以通過直線驅(qū)動器，靠近樣品表面并直接噴向樣品
	樣品臺	旋轉(zhuǎn)靶臺可設(shè)定速度
	腔體接口	真空腔室上預(yù)留連接基板驅(qū)動機構(gòu)、激光靶驅(qū)動機構(gòu)、真空獲得和檢測、高能量電子槍和熒光屏、進(jìn)樣室等部件的專用接口
激光靶材	數(shù)量	靶材數(shù)量≥6個
	尺寸	激光照射靶的尺寸≥25
	靶與成膜基板調(diào)節(jié)范圍	30～100mm，可在腔體外進(jìn)行調(diào)整
	旋轉(zhuǎn)	通過靶的公轉(zhuǎn)完成切換； 每塊靶材可實現(xiàn)自轉(zhuǎn)，*高轉(zhuǎn)速≥30轉(zhuǎn)/分； 靶的公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)通過電機控制，配備控制軟件。
基片加熱臺	基片尺寸	2英寸；
	加熱溫度	加熱機構(gòu)采用SiC加熱片； 配備溫控電源，基片加熱溫度800攝氏度以上，誤差小于1度
	移動	基片臺可以作四維移動，徑向可動范圍不小于100mm，橫向可動范圍不小于20 mm；
	旋轉(zhuǎn)	面內(nèi)旋轉(zhuǎn)電機驅(qū)動，*高轉(zhuǎn)速≥30轉(zhuǎn)/分，連續(xù)可調(diào)。
反射高能電子衍射槍	系統(tǒng)	配備反射高能電子衍射槍，高能量電子槍、控制電源、熒光屏及真空系統(tǒng)
	高能電子*高能量	≥25keV
	功能	電子束斑有聚焦和偏轉(zhuǎn)功能；
	保護	電子槍帶有自鎖保護功能
	差分抽	具備差分抽功能，工作*高壓強≥10Pa；
	泵和閥門	配備差分抽真空泵和閥門
磁控濺射預(yù)處理室	真空腔室	1.不銹鋼材質(zhì)，漏率≤5×10-8   Pa.L/s，極限真空≤1×10-7Pa； 2.觀察窗2個，配備觀察窗遮擋板； 3.真空獲得通過分子泵和機泵組合實現(xiàn)，排氣速度1200l/s和8l/s，配備全量程真空計。 4,.真空腔室上預(yù)留多個法蘭接口，可連接基板驅(qū)動機構(gòu)、磁控濺射靶、氬離子槍、石英振蕩膜厚儀、真空獲得和檢測、進(jìn)樣室等； 配備1路高精度氬氣氣路，配備控制針閥和氣體質(zhì)量流量計，氣體流量100sccm 額外預(yù)留1路進(jìn)氣氣路接口，并在機臺預(yù)留質(zhì)量流量計固定位置； 設(shè)計旁抽機構(gòu)，便于維持工作氣體的氣壓。
	基片加熱	基片尺寸2英寸； 加熱機構(gòu)采用SiC加熱片； 配備溫控電源，基片加熱溫度800攝氏度以上，誤差小于1度； 基片臺可以作四維移動，徑向可動范圍于100mm，橫向可動范圍為2 0mm； 面內(nèi)旋轉(zhuǎn)電機驅(qū)動，*高轉(zhuǎn)速≥30轉(zhuǎn)/分，連續(xù)可調(diào)基片尺寸2英寸；
	磁控濺射靶槍	配備3套磁控濺射靶（其中一套為強磁靶），靶材尺寸2英寸，可實現(xiàn)共焦濺射 配備直流濺射電源(*大功率1000 W)一臺、射頻電源(*大功率500 W)和匹配箱各一臺； 濺射靶的靶頭傾角可調(diào)，自帶擋板；
	氬離子槍	配備氬離子槍和控制電源； 氬離子能量0-2keV連續(xù)可調(diào)，束斑尺寸可調(diào)； 配備專用氣體導(dǎo)入微調(diào)閥。
	膜厚	石英振蕩膜厚儀 監(jiān)測薄膜成長速度0.1～9999.9?./S 檢測薄膜厚度范圍1～9999? 振動頻率6MHz，水冷構(gòu)造，連接法蘭CF35。
	水冷	冷卻循環(huán)水機制冷功率≥12kW； 采用分體式設(shè)計
	其他	鋁合金架臺，帶腳輪，高度可調(diào)； 標(biāo)準(zhǔn)電源柜，上述所有部件中涉及到控溫、旋轉(zhuǎn)、氣體流量控制等電控操作的部件均配備對應(yīng)的控制電源或控制器； 冷卻水排； 觸摸屏及相關(guān)控制軟件。
功能		脈沖激光沉積室可實現(xiàn)指定樣品RHEED震蕩監(jiān)控（以SrTiO3襯底上同質(zhì)外延生長為驗收標(biāo)準(zhǔn)，震蕩周期數(shù)目不低于20個周期） 磁控濺射準(zhǔn)備室可實現(xiàn)厚度≤2  nm的薄膜樣品可控制備（以Fe薄膜為驗收標(biāo)準(zhǔn)）